VDD 是该器件的电源输入连接。在正常工作条件下，通过限流电阻器为 VDD 供电。绝对最大电源电压为 20V，包括任何可能存在的瞬变。如果超过该电压，则可能会损坏器件。这与前代双极器件形成鲜明对比，后者可在输入偏置引脚上承受高达 30V 的电压。此外，由于该器件中不包含内部钳位，因此必须保护 VDD 引脚免受可能超过 20V 电平的外部电源的影响。如果无法在所有线路和负载条件下保证从辅助绕组 N‌A‌ 获得的启动和自举电源电压始终低于 20V，请在 VDD 和 GND 之间使用齐纳保护二极管。根据自举电源的阻抗和布局，这时可能需要与辅助绕组串联一个电阻器 R_VDD，以限制流入齐纳二极管的电流，如图 7-1 所示。确保在所有容差和温度范围内，最小齐纳电压都高于最高的 UVLO 上限导通阈值。为了防止出现与噪声相关的问题，可以使用一个陶瓷旁路电容器将 VDD 接地来对其进行滤波。必须在尽量靠近 GND 引脚的位置对 VDD 引脚进行去耦。

图 7-1 VDD 保护

尽管标称 VDD 工作电流仅为 2.3mA，但总电源电流更高，具体取决于 OUT 电流。总 VDD 电流是静态 VDD 电流和平均 OUT 电流的总和。已知工作频率和 MOSFET 栅极电荷 (Q_g) 时，可以根据方程式 1 计算平均 OUT 电流。

方程式 1.