UCCx8C4x 的高电流输出级经过重新设计，驱动外部电源开关的时间大约比早期器件缩短了一半。为了直接驱动功率 MOSFET，图腾柱输出驱动器会灌入或拉取高达 1A 的峰值电流。UCCx8C40、UCCx8C42 和 UCCx8C43 器件的 OUT 开关频率与振荡器相同，并且可以在接近 100% 的占空比下运行。在 UCCx8C41、UCCx8C44 和 UCCx8C45 中，由于内部的 T 触发器，OUT 的开关频率是振荡器开关频率的一半。这会将 UCCx8C41、UCCx8C44 和 UCCx8C45 中的最大占空比限制为 < 50%。

UCCx8C4x 系列器件包含独特的图腾柱驱动器，并通常具有 10Ω 的上轨阻抗和 5.5Ω 的接地阻抗。低侧开关上的这种较低阻抗有助于尽可能地降低功率 MOSFET 的关断损耗，而高侧开关的较高导通阻抗旨在更好地匹配许多高速输出整流器的反向恢复特性。对于 10% 至 90% 的电压变化，上升沿和下降沿的转换时间通常分别为 25 纳秒和 20 纳秒。

与双极晶体管并联的低阻抗 MOS 结构或 BiCMOS 结构包括图腾柱输出结构。这种对器件的更高效利用可提供所需的高峰值电流以及快速转换和完整的轨到轨电压摆幅。此外，输出级为自偏置，在欠压锁定期间为低电平有效。在没有 VDD 电源电压的情况下，如果尝试将输出拉至高电平，则输出会主动拉至低电平。这种情况经常发生在初始上电并使用功率 MOSFET 作为驱动器负载时。