Data Sheet
UCCx8C5x 适用于 Si 和 SiC MOSFET 的
BiCMOS
低功耗电流模式 PWM 控制器
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
- 30V VDD 绝对最大电压
- 1MHz 最大固定频率工作
- 50μA 启动电流，最大值 75μA
- 低工作电流: 1.3mA（fOSC = 52kHz）
- 35ns 快速逐周期过流限制
- 峰值驱动电流为 ±1A
- 轨到轨输出
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
- 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
- 与 UCCx8C4x 引脚对引脚兼容的可直接替代米6体育平台手机版_好二三四
- 提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
2 应用
- 通用单端直流/直流或离线隔离式电源转换器
- 太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源
- EV 充电站的隔离式电源
3 说明
UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。
除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59)。
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。
器件性能改进
| 参数 | UCCx8C4x | UCCx8C5x |
|---|---|---|
| 52kHz 时的电源电流 | 2.3mA | 1.3mA |
| 启动电流（上限值） | 100µA | 75µA |
| VDD 绝对上限值 | 20V | 30V |
| 基准电压精度 | ±2% | ±1% |
| Si FET 的 UVLO 和 DMAX | 6 个选项 | 6 个选项 |
| SiC FET 的 UVLO 和 DMAX | none | 6 个选项 |
| 最小封装选项 | VSSOP (8) | VSSOP (8) |
UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。
器件信息
| 器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸（标称值） |
|---|---|---|
| UCC28C50、UCC28C51 UCC28C52、UCC28C53、 UCC28C54、UCC28C55、 UCC38C50、UCC38C51 UCC38C52、UCC38C53 UCC38C54、UCC38C55 | SOIC (8) | 3.91mm × 4.90mm |
| VSSOP (8) | 3.00mm × 3.00mm | |
| UCC28C56H、UCC28C56L UCC28C57H、UCC28C57L、 UCC28C58、UCC28C59 | SOIC (8) | 3.91mm × 4.90mm |
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
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