ZHCSKG7B June 2019 – February 2024 UCC5390-Q1
PRODUCTION DATA
UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器,具有 10A 最小峰值拉电流和 10A 最小峰值灌电流,专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准,有利于使用双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装,可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,隔离栅寿命超过 40 年。凭借高驱动强度和真正的 UVLO 检测,该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。
与光耦合器相比,UCC5390-Q1 的器件间偏移更低,传播延迟更小,工作温度更高,并且 CMTI 更高。
器件版本 | 封装(1) | 封装尺寸(标称值) |
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UCC5390-Q1 | DWV (SOIC-8) | 7.5mm × 5.85mm |