我们借助图 6-3 说明了 UCG28826 的初级侧集成式 GaN HEMT 的开关能力。该图显示了在反激式应用中，UCG28826 在两个不同开关周期内的漏源电压（与 SW 引脚电压相同）。第一个是正常开关周期，然后是 DCM/谷底开关条件下的浪涌开关周期。

图 6-8 GaN HEMT 开关能力

GaN HEMT 处于导通状态时，每个周期都在 t₀ 之前开始。在 t₀ 时，GaN HEMT 关断，寄生元件导致漏源电压以高频振铃。高频振铃已经减弱了 t₁。在 t₁ 和 t₂ 之间时，HEMT 漏源处于平坦电压下，在反激式设计中减小了次级绕组电流。在 t₂ 时，GaN HEMT 在谷底处导通。正常运行时，瞬态振铃电压限制为 700V，平坦电压限制为 560V。对于罕见的浪涌事件，瞬态振铃电压限制为 800V，平坦电压限制为 750V。