UCG28826 包含压摆率选项，可在初级 GaN HEMT 导通时降低开关节点谷底电压到接地端之间的漏极电压。谷底开关期间的这种 GaN HEMT 导通发生在电流几乎为零的情况下，由于压摆率控制而导致导通速度变慢，因此产生的额外损耗可忽略不计，这有助于满足各种电磁发射标准。有三种压摆率选项可供选择，分别为 3V/ns、5V/ns 和 7V/ns，它们根据谷底电压略有不同，如图 6-11 所示。

图 6-11 GaN HEMT 导通压摆率控制

根据表 6-4 中的值，使用 CDX 引脚到 GND 之间的电阻器选择所需的压摆率值。在初级 GaN HEMT 关断瞬间，SW 节点电压的增加取决于 I_PK 和开关节点总电容 C_SW。栅极驱动电流在此关断压摆率中以可控方式减少，这会显著增加损耗。如果需要这样降低 GaN HEMT 关断压摆率，请在 GaN HEMT 漏极（开关节点）到 GND 之间添加一个额外的电容器，以降低在此关断瞬间开关节点电压的增加速率。