ZHCSPX9D September 2005 – November 2023 XTR117
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
对于任何 XTR117 设计，都必须评估 4mA 至 20mA 控制环路的稳定性。对于大多数应用，建议在 V+ 和 IO 之间使用 10nF 去耦电容器。由于该电容从稳定性的角度而言与负载电阻 RLOAD 并联，因此电容器和电阻器将形成一个滤波器转角，可限制系统的带宽。因此，对于 HART 应用，请改用 2nF 至 3nF 的旁路电容。
对于存在 EMI 和 EMC 问题的应用，请使用具有足够低 ESR 的旁路电容器将 VLOOP 电源的任何纹波电压去耦。否则，纹波电压会耦合到 4mA 至 20mA 电流源上，并在电流到电压转换后作为 RLOAD 上的噪声出现。