KOKA022 march 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1 , TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1

7 정전식 증폭의 개념

CM 잡음 완화를 위한 AEF 회로는 CM 초크의 겉보기 인덕턴스 또는 Y-커패시터의 겉보기 커패시턴스를 해당 주파수 범위에 걸쳐 증폭합니다. CM 감쇠에 맞게 구성된 VSCI AEF는 주입 커패시터 C_INJ의 정전식 멀티플라이어로 증폭기 단계를 사용합니다. 목표 감쇠를 달성하기 위해 CM 초크에 대해 더 낮은 값을 지원하는 것은 활성 커패시턴스의 더 높은 값입니다.

그림 6-1를 보면 방정식 1는 주입 캐패시턴스에 전원 라인에서 앰프 출력까지의 CM 전압 게인인 G_AEF가 효과적으로 곱해진 것을 알 수 있습니다.

방정식 1.

v_{C_{I N J}} = [1 - G_{AEF} (F)를 위한 직렬 전압 레퍼런스] v_{AEF}

i_{C_{I N J}} = C_{INJ} \frac{d v_{C_{I N J}}}{d t} = [1 - G_{AEF} (F)를 위한 직렬 전압 레퍼런스] C_{INJ} \frac{d v_{AEF}}{d t}

\Rightarrow C_{INJ, 활성} (F)를 위한 직렬 전압 레퍼런스 = |1 - G_{AEF} (F)를 위한 직렬 전압 레퍼런스| C_{INJ}

그림 7-1은 FB-VSCI AEF 회로가 활성화 및 비활성화되었을 때 주입 네트워크 임피던스의 시뮬레이션된 플롯을 보여줍니다. 2kHz 이상(특히 100kHz 초과)의 낮은 임피던스는 4.7nF 주입 커패시터의 활성 회로와 관련 댐핑 네트워크에 의한 용량성 증폭으로 인해 발생합니다.

그림 7-1 활성 피드백 동작에 의해 더 높은 주파수에서 부스트된 등가 정전 용량을 보여주는 기존 Y-커패시터 대비 AEF가 활성화된 주입 분기 임피던스 Z_INJ의 예