2 BAW 기술 개요

TI의 BAW 공진기 기술은 압전 변환을 활용하여 2.5GHz에서 높은 Q 공진을 생성합니다. 공진기는 상부 전극과 하부 전극에 의해 오버레이된 사변형 영역에 의해 정의됩니다. 고음향 임피던스 레이어와 저음향 임피던스 레이어가 번갈아 가며 공진체 아래에 음향 미러를 형성하여 기판으로 음향 에너지가 누출되는 것을 방지합니다. 또한 이러한 음향 미러는 공진기 스택 상단에 배치되어 오염으로부터 장치를 보호하고 패키지 재료로의 에너지 누출을 최소화합니다. 이 독특한 DBAR(듀얼 브래그 음향 공진기)은 공진기 주변의 값비싼 진공 캐비티 없이도 효율적인 여자를 가능하게 합니다. 결과적으로 TI의 BAW 공진기는 표면 오염 물질의 흡착으로 인한 주파수 드리프트에 영향을 받지 않으며 표준 오실레이터 풋프린트(3.2mm × 2.5mm 및 2.5mm × 2.0mm)의 오실레이터 회로와 함께 밀폐 플라스틱 패키지에 직접 배치할 수 있습니다.