NESA014 march 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1 , TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1
遵守指在限制傳導放射等級的 EMC 法規,必須在切換穩壓器和電源輸入來源之間插入低通 EMI 濾波器。圖 3-1 說明千瓦級電網連接應用中的單相 (三線) 與三相 (四線) 系統的典型濾波器整備。L、N 和 PE 分別指帶電、中性和保護性接地端子。如圖所示,多階濾波器提供高滾降率,這在高功率 AC 線路應用中很常見,而在這些應用中,CM 雜訊通常比差模 (DM) 雜訊更難以緩解。雖然 圖 3-1 省略了突波脈衝防護和電阻放電的零組件,但該電路圖合併了一個與輸入電源串聯的線路阻抗穩定網路 (LISN),能夠測量總 EMI,包括 DM 和 CM 傳播零組件。
在較高層級,被動 EMI 濾波器代表一種直覺式、直接且傳統的方法,能減少電力電子電路的傳導放射,即使被動元件的尺寸、重量和成本在部分應用中會造成明顯的約束。此類被動濾波器設計需插入高阻抗串列元件 (DM 電感器、CM 扼流器) 和低阻抗分流元件 (X 和 Y 電容器),才能在 EMI 電流傳播路徑中造成阻抗不相符。低階切換諧波通常會根據所需的角頻率 (或多階設計中的多角頻率) 決定被動濾波器零組件的尺寸。
以 圖 3-1 中的單相電路圖為例,CM 扼流器 LCM1 和 LCM2 以及 Y 額定電容器 CY1 至 CY4 (連接 AC 電源線與接地) 可提供 CM 衰減。源自切換穩壓器的 CM 電流,會先經由穩壓器端 Y 電容器傳回,接著再經由位於 CM 扼流器之間的 Y 電容器傳回。任何剩餘 CM 電流的替代傳回路徑都是透過 LISN 設定的測量阻抗,其顯然有損 EMI 性能。
如簡介所述,安全規範會將 Y 電容總值限制在相對低的值 (通常低於 10 nF),而所需角頻率所需的扼流器 CM 電感則相對較高,範圍為數毫享利,使得扼流器變得又大、又重、又貴。與 DM 衰減相比,X 電容器 CX1 至 CX3 的值可能較大 (通常爲 2.2 µF),進而允許使用 CM 扼流器的洩漏電感來實現低值 DM 電感。
實際上,CM 扼流器操控 EMI 濾波器的大小,如 圖 3-2 中所示的 [3] 實際實作,並在 EMI 濾波器設計過程中帶來一些挑戰,包括體積龐大、熱管理問題、噪音、濾波器共振和零組件之間的電磁耦合。此外、濾波器零組件的寄生元件 (尤其是 CM 扼流器) 也會影響高頻率性能和可達成的衰減。濾波器中使用的離散元件採用不同製造商的不同外型規格,且未經過最佳化以配合彼此,因此會影響濾波器實作的空間設計與組裝。