7 電容放大的概念

CM 雜訊變少的 AEF 電路可放大 CM 扼流器的表觀電感，或相關頻率範圍 Y 電容器的表觀電容。爲 CM 衰減配置的 VSCI AEF 使用放大器級作爲注入電容器 C_{INJ 的電容倍增器}。就是這個主動電容的高值支援 CM 扼流器的低值以達到衰減目標。

請見圖 6-1，方程式 1 顯示注入電容有效地以 G_AEF 倍增，這是從電源線到放大器輸出的 CM 電壓增益：

方程式 1.

v_{C_{I N J}} = [1 - G_{AEF} (f)] v_{AEF}

i_{C_{I N J}} = C_{INJ} \frac{d v_{C_{I N J}}}{d t} = [1 - G_{AEF} (f)] C_{INJ} \frac{d v_{AEF}}{d t}

\Rightarrow C_{INJ,active} (f) = |1 - G_{AEF} (f)| C_{INJ}

圖 7-1 顯示啓用及停用 FB-VSCI AEF 電路時的注入網路阻抗的模擬圖。高於 2 kHz (特別是高於 100 kHz) 的低阻抗是由 4.7-nF 注入電容器的主動電路及其相關阻尼網路所造成的電容放大。

圖 7-1 注入支路 Z_INJ 的範例：啟用 AEF 與傳統 Y 電容器的比較，顯示透過主動回饋動作在更高頻率下增強的等效電容