NEST085 August 2024 TPS1200-Q1 , TPS1211-Q1

3 並聯預充電路徑

此方法通常用於需要額外閘極驅動器以驅動預充電 FET 的高電流並聯 FET 架構設計中，如圖 4 所示。您可使用方程式 3 選擇預充電路徑中的預充電電阻器 (Rpre-ch)，將突波電流限制為特定值：

方程式 3.

R_{p r e - c h} = \frac{V_{I N}}{I_{I N R}}

由於預充電電阻器會在啟動期間處理所有功率應力，因此其應能處理平均和峰值功耗，這分別以方程式 4 和方程式 5 表示：

方程式 4.

P_{a v g} = \frac{E_{p r e - c h}}{T_{p r e - c h}} = \frac{0.5 \times C_{O U T} \times V_{I N}^{2}}{5 \times R_{p r e - c h} \times C_{O U T}}

方程式 5.

P_{p e a k} = \frac{V_{I N}^{2}}{R_{p r e - c h}}

圖 4 在並聯路徑中具有預充電電阻器與 FET 的電路。

在這種情況下，可以對輸出快速充電，然而代價是預充電電阻器會非常龐大。例如，在 10ms 內將 5mF 充電至 12V 時，需要額定值為 36W 的 0.4Ω 預充電電阻器，且峰值功率處理能力為 360W，這會導致線繞電阻器相當龐大。因此，此解決方案對許多類型的終端設備而言皆不可行，因為在同一 PCB 上會有許多通道。而每個通道都需要龐大的電阻器，導致解決方案的空間效率不彰。