透過元件創新發揮最佳寬能隙 FET 性能

碳化矽 (SiC) MOSFET 或氮化鎵 (GaN) FET 等寬能隙 FET，可提供矽 MOSFET 電晶體更高效的替代方案。寬能隙 FET 在與矽 MOSFET 電晶體相同的電壓電平下，具有極低甚至沒有反向復原電荷 (Q_rr)，並且具有較低的導通電阻，如 圖 1 所示。

圖 1 理論上的導通電阻與阻斷電壓。

此外，在寬能隙 FET 中，包括閘極電荷 (Q_g) 及輸出電容 (C_oss) 在內的幾乎其他所有寄生，都比矽 MOSFET 電晶體低得多，因此切換速度更快：與超接面矽 MOSFET 電晶體相比，電壓轉換率超過 150-V/ns 對比於電壓轉換率低於 80-V/ns。由於切換速度較快，開啟或關閉電源開關所需的時間較短，且可減少切換損耗。