傳導放射與輻射放射考量

傳導放射與輻射放射端視切換頻率、dv/dt、di/dt、切換電壓振盪和反射，以及切換電流迴路區域而定。

DRV7308 整合了前述多種設計技術和印刷電路板 (PCB) 佈局選項，可因應 EMI 和電磁相容性方面的疑慮：

• PWM 切換頻率。切換頻率越高，對 EMI 頻譜的影響越大。較高的切換頻率可協助減少電流漣波和電容器需求，以滿足傳導放射。DRV7308 提供廣泛的切換頻率，從超低值到高達 60kHz，均包含在內。設計師可依系統性能和 EMI 需求，選擇最佳頻率。
• dv/dt。DRV7308 前置驅動器可控制相位節點切換電壓轉換速率，以滿足 EMI 要求。
• di/dt。透過零反向復原與低寄生，GaN 可提供更出色的切換性能，且在切換期間，不會於相位節點造成電壓過衝和振盪。圖 4 和圖 5 顯示了 DRV7308 乾淨的切換，這可讓 EMI 降低。
• 小規模的切換電流迴路區域。本機去耦電容器可在切換期間提供脈衝電流。DRV7308 的設計可讓 DC 電壓去耦電容器 (C_VM) 的切換電流迴路區域達到極小，如 圖 8 所示。

圖 8 DRV7308 的一般佈局參考，其中顯示了小規模的電流迴路區域。