在 CW 系统中，这通常是唯一的考虑因素，温升定义为器件的总热负荷乘以从器件到封装背面陶瓷的封装热阻。

${∆T}_{SILICON-TO-CERAMIC}= Q_{SILICON}\times R_{SILICON-TO-CERAMIC}$

其中：

$Q_{SILICON}= Q_{ELECTRICAL}+ Q_{ILLUMINATION}$

$Q_{ILLUMINATION}$ = ( ${\alpha }_{DMD}$ x $Q_{INCIDENT}$ )

$Q_{ELECTRICAL}$ = DMD 上的总电功率 [来自 DMD 数据表]

$R_{SILICON-TO-CERAMIC}$ [来自 DMD 数据表]

$Q_{INCIDENT}$ = 到 DMD 的总入射平均光功率

${\alpha }_{DMD}$ = DMD 热吸收率

${\propto }_{DMD}=\left(1-Overfill\right) * \{\left[{FF}_{MIRROR} * (1-MR)] + \left(1-{FF}_{MIRROR}\right)\right\} + \left(2 *{\propto }_{WINDOW}\right)+Overfill$

其中：

${FF}_{MIRROR}$ = 微镜阵列填充系数（关断状态计算最高温度）[表 2-2]

$MR$ = 微镜反射率 [图 2-1、图 2-2、图 2-3]

${\alpha }_{WINDOW}$ = 窗口单通吸收率

$Overfill=1- \frac{Array Area}{Incident\mathrm{ }Area}$

$Incident Area$ = DMD 上的总照明区域

由于器件的热时间常数为秒级，因此器件可以将脉冲热源视为连续热源，等于 DMD 光功率的平均吸收功率。

微镜阵列的填充系数 (FF_MIRROR) 在导通状态下比关断状态下高 [表 2-2]。这是因为偏离光源（关断状态）的微镜会通过微镜间隙将器件的更多部分暴露于照明中。对于最坏情形下的热建模，只需使用关断状态填充系数。