与集成了闪存的 F2xx 系列不同，MSP430FRxx 器件使用 FRAM 非易失性存储器。使用 FRAM 与使用静态 RAM (SRAM) 非常相似。在通用超低功耗 MCU 中引入 FRAM 作为嵌入式存储器的做法发生在 TI 的 16 位 MSP430 米6体育平台手机版_好二三四线上。

FRAM 的一些关键属性包括：

• FRAM 是非易失性的；也就是说，在断电之后，FRAM 会保留其内容。
• MSP430 器件上的嵌入式 FRAM 能够以最高 8MHz 的速度访问（读取或写入）。如果超过 8MHz，在访问 FRAM 时会使用等待状态。
• 写入 FRAM 和读取 FRAM 不需要进行设置或准备，例如在写入或解锁控制寄存器之前进行擦除（除非使用了写保护位来防止对 FRAM 进行写访问）。
• FRAM 未分段，可对每个位单独进行擦除、写入和寻址。
• 在写入之前，FRAM 不需要擦除。
• FRAM 写入访问是低功耗操作，因为写入 FRAM 无需电荷泵。
• FRAM 写入可在器件的整个电压范围内执行。
• FRAM 写入速度最高可达 8MBps，其典型的写入速度大约为 2MBps。高速写入是该技术的固有特性，而通过消除擦除瓶颈又提高了该速度；擦除瓶颈在其他非易失性存储器技术中是普遍存在的问题 [9]。相比之下，包含擦除时间的典型 MSP430 闪存写入速度大约为 14kBps [9]。
• 与闪存相比，FRAM 具有更高的写入耐久性：与闪存的 10⁵ 个写入周期相比，FRAM 的 10¹⁵ 个写入周期几乎是无限的。