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3.4 闪存性能

许多应用程序都配置为在闪存外执行。因此，闪存性能是衡量实时系统功能的关键标准。典型的基准测试通过执行合成代码来计算闪存效率，但在执行包含非线性代码流、数据表和外设访问的应用程序时，合成代码可能无法显示出性能。

F28004x 和 F2837x 具有两种构建配置：“SignalChain_RAM_TMU”和“SignalChain_FLASH_TMU”。这些配置的执行时间如图 3-6 和图 3-7 所示。

图 3-6 TMS320F28004x 从 RAM 和闪存执行的时间

图 3-7 TMS320F2837x从 RAM 和闪存执行的时间

表 3-3 列出了根据总平均执行周期基准测试数据得出的闪存性能。

表 3-3 闪存执行性能与 RAM 执行性能的比较

	RAM 执行（周期数）	闪存执行（周期数）	闪存相对性能 (RAM_cycles * 100 / Flash_cycles)	闪存技术
TMS320F28004x	529	648	82%	100MHz CPU 时钟 20MHz 闪存速度 4 个等待状态
TMS320F2837x	537	582	92%	200MHz CPU 时钟 50MHz 闪存速度 3 个等待状态

从表中的数据可以看出，与 RAM 性能相比，C2000器件在ACI 电机控制等实际应用中的闪存性能非常好（大约为 80-90%）。