通过尽量减少关键开关环路和在关键开关环路下添加接地平面，可提高 EMI 性能。如果测试结果仍然超出限值，则应考虑采用其他解决方案，例如降低开关速度、在电源电路上增加金属屏蔽层。但是，降低开关速度会牺牲效率，而增加金属屏蔽层会增加成本并使系统组装更加复杂。

对称放置去耦电容器既能做到进一步提高 EMI 性能，又不会牺牲效率或增加成本。图 2-6 和图 2-7 所示为这种对称放置概念的原理图和相关 PCB 布局。

图 2-6 TPS55288 降压/升压转换器的对称 PCB 布局

图 2-7 所示为对称放置和不对称放置元件的辐射 EMI 结果。对称放置有助于将 200MHz - 600MHz 高频范围内的辐射 EMI 降低 6dBuV/m 以上。

图 2-7 对称放置和不对称放置元件的辐射 EMI 比较