可使用旁路电容器将进入 DRV 器件电源引脚的高频噪声尽量降低。TI 建议将电容器尽可能放置在靠近器件电源输入引脚和接地引脚的位置。如果没有尽量缩短旁路电容器和器件之间的布线长度，它们可能在高频下产生电感噪声，此时便需要由旁路电容器进行滤除。布线电感增加的阻抗会导致电源引脚上的电压或电流出现振铃，从而增加 EMI 并影响数字或模拟电路的性能。一种较好的做法是将具有较小电容值的电容器尽可能靠近器件放置，以最大限度地降低布线电感的影响。应在较小电容器之后连接具有较大电容值的电容器，因为随着电容值的增加，电感将变得可以忽略不计。

图 5-4 靠近器件的去耦电容器

如Topic Link Label3.2所述，使用的过孔越多，阻抗越低。TI 强烈建议在电源层和接地层使用多个过孔。将过孔直接放置在电容器的安装焊盘上可能是最大限度地减小布线面积并仍然实现电流布线的有效方法。对于旁路电容器，请遵循以下指导原则：

• 不要在旁路电容器和有源器件之间使用过孔。将高频电流具体化，尽可能减少高频电流环路。
• 确保旁路电容器与有源器件位于同一层以便改善效果。不要在旁路电容器引脚和 IC 电源或接地引脚之间放置过孔。
• 将过孔布放到旁路电容器中，然后布放到有源器件中。
• 尽可能增加过孔的使用数量和布线的宽度以获得良好布局。
• 旁路电容器越近越好（小于 0.5cm/0.2 英寸）
• 不要使用大于 3:1 的长宽比。

图 5-5 所示为良好旁路和不良旁路示例。

图 5-5 旁路电容器的放置