对于需要更高电池平衡电流的应用，通常使用外部 FET。使用外部 FET 时，可以将电池输入电阻器增大至最大建议值 100Ω。增加电阻器大小将有助于在 FET 的栅极上提供足够的电压。在图 2-2 中，当内部 FET 在器件内部导通时，流经 R_n-1 的电流为外部 FET 提供 V_GS 的电压。

图 2-2 采用外部 N 沟道 FET 的平衡电路

必须小心选择具有在低 V_GS 下定义的低 R_DSON 的外部 FET。例如，由参数 Cell Balance Min Cell V（电池平衡最低电池电压） 定义的默认平衡最低电压为 3900mV。外部 FET 应具有在 3.9V x 100/(100 + 100 + 25) = 1.73V 或更低的电压下定义的 R_DSON。

需要使用一个齐纳二极管来保护外部 FET 栅极免受电池组瞬态的影响。例如，如果一个 10 节电池组发生短路，则在发生短路期间，电池 10 的 R_n 两端将具有大约 40V 的电压，而在短路解除时会发生相反的瞬态。应通过一个电阻器来连接栅极电压，以限制二极管导通时的电流。（在正常操作期间，齐纳二极管将不会导通）。

对于下面捕获的波形，电路设计采用了 100Ω 的 R_n 和 1kΩ 的 R_gn。R_bal 电阻器设置为 50Ω，从而在 4V 电压下使流经外部 FET 的平衡电流为 80mA。在该电池电压下，约 16mA 的额外电流流经器件的内部 FET，从而使总平衡电流接近 96mA。选择了一个具有为低 V_GS（低至 1.4V）定义的 R_DSON 的 N 沟道 MOSFET。

图 2-3 采用 N 沟道 FET、电池 4（黄色）= 3.7V、电池 3（蓝色）= 3.5V 时的 BQ76942 电池平衡