ZHCAAO3K December   2015  – April 2024 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器操作
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶体
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4晶体的 PCB 布局
  8. 5测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6适用于 CC13xx、CC26xx 和 CC23xx 的晶体
  10. 7高性能 BAW 振荡器
  11. 8参考文献
  12. 9修订历史记录

频率精度

晶体频率精度的总容差取决于多个因素:

  • 生产容差
  • 温度容差
  • 老化效应
  • 晶体因负载电容不匹配而出现的频率牵引

在选择晶体时,应考虑这些参数。方程式 9 提供了总晶体容差。

方程式 9. GUID-1292148E-C0E4-42E1-8BB5-79E09426F0E7-low.gif

这些值以百万分率 (ppm) 为单位提供,并可在晶体制造商的器件特定数据表中找到,牵引度除外,该值可根据节 1中的公式计算得出。