ZHCAAO3K December   2015  – April 2024 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1振荡器和晶体基础知识
    1. 1.1 振荡器操作
    2. 1.2 石英晶体电气模型
      1. 1.2.1 振荡频率
      2. 1.2.2 等效串联电阻
      3. 1.2.3 驱动电平
      4. 1.2.4 晶体牵引
    3. 1.3 负电阻
    4. 1.4 振荡器的时间常数
  5. 2CC 器件晶体振荡器概述
    1. 2.1 24MHz 和 48MHz 晶体振荡器
    2. 2.2 24MHz 和 48MHz 晶体控制环路
    3. 2.3 32.768kHz 晶体振荡器
  6. 3为 CC 器件选择晶体
    1. 3.1 运行模式
    2. 3.2 频率精度
      1. 3.2.1 24MHz 和 48MHz 晶体
      2. 3.2.2 32.768kHz 晶体
    3. 3.3 负载电容
    4. 3.4 ESR 和启动时间
    5. 3.5 驱动电平和功耗
    6. 3.6 晶体封装尺寸
  7. 4晶体的 PCB 布局
  8. 5测量晶体的振荡幅度
    1. 5.1 测量启动时间来确定 HPMRAMP1_TH 和 XOSC_HF_FAST_START
  9. 6适用于 CC13xx、CC26xx 和 CC23xx 的晶体
  10. 7高性能 BAW 振荡器
  11. 8参考文献
  12. 9修订历史记录

4 晶体的 PCB 布局

晶体的布局可以减少寄生电容，更重要的是，可以减少振荡器输入端上的噪声耦合。振荡器输入端的噪声会导致严重的副作用，例如时钟干扰、闪存损坏或系统崩溃，因为 CC26xx 和 CC13xx 器件依赖晶体振荡器作为高频和低频系统时钟。

以下是晶体布局的一些建议：

  • 将晶体尽可能靠近器件放置，尽量缩短 PCB 走线长度。（这种放置方式可以减少串扰并尽量减少 EMI。）
  • TI 建议在晶体下添加实心接地层。
  • 确保没有高速数字信号靠近晶体，从而尽量减少振荡器的噪声交叉耦合。

图 4-1 所示为 CC26xx 参考设计的布局顶层。底层是实心接地层。更多详细信息，请参阅《SimpleLink™ CC2650 EVM 套件 4XD (CC2650EM-4XD) v1.0.3 设计文件》。相同晶体布局可与 CC13xx 器件搭配使用。

GUID-A7AC9457-BB35-451B-9AC0-F5A3BB76149A-low.png图 4-1 CC26xx EVM 的布局
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