ZHCAAO3K December 2015 – April 2024 CC1310 , CC1350 , CC2620 , CC2630 , CC2640 , CC2640R2F , CC2640R2F-Q1 , CC2642R-Q1 , CC2650 , CC2662R-Q1
1.4 振荡器的时间常数
晶体振荡器的启动时间由开启时的瞬态条件、负电阻导致的小信号包络膨胀，以及大信号振幅限制所决定。包络膨胀是晶体的总负电阻与动态电感的函数。包络膨胀的时间常数与方程式 8 中给定的振荡器启动时间成正比。
方程式 8. 
使用具有低 LM 的晶体时，启动时间会较短，使用具有大 RN（低 CL）的晶体时也是如此。应对低动态电容 (CM) 造成的牵引度与低动态电感 (LM) 带来的快速启动时间进行权衡，因为晶体的频率取决于 CM 和 LM。封装尺寸较小的晶体具有较大的 LM，与封装尺寸较大的晶体相比，启动速度更慢（请参阅节 1.2.1）。
表 1-1 总结了 TI 推荐可与 CC 器件配套使用的参考晶体的各种参数和参数值。
表 1-1 晶体参数
| 参数 | 说明 | 24MHz 晶体 用于 TI CC26x0 特性说明 |
TI 假定默认 32.768kHz 晶体 |
|---|---|---|---|
| 动态电感 (LM) | 在一定程度上决定晶体响应时间（晶体响应振荡器变化的速度）。Lm 越小 → 晶体响应振荡器变化的速度就越快。与 CM 一同构成决定晶体质量的主要因素 | 12.6mH | 5.0kH |
| 动态电容 (CM) | 在一定程度上决定晶体响应时间。CM 越小 → 晶体响应振荡器变化的速度就越慢。 | 3.4fF | 4.718fF |
| 动态电阻 (RM) | 在谐振条件下，Lm 和 CM 相互抵消，RM 会提供给振荡器。RM ~ ESR 假定 CL >> CO. | 20Ω（60Ω 最大值） | 37kΩ（70kΩ 最大值） |
| 负载电容 (CL) | 将晶体调优到正确频率所需的负载电容大小。该负载电容也有助于确定驱动电平。 | 9pF | 7pF |
| 并联电容 (C0) | 这是晶体封装产生的寄生电容。它有助于确定可接受的驱动电平。 | 1.2pF | 1pF |
| ESR | 等效串联电阻。如果 CL >> CO，则 ESR ~ RM | 20Ω（60Ω 最大值） | 37kΩ |
| 驱动电平 | 晶体长时间可靠运行的最大功率级别，请参阅方程式 5 | 200µW | <500nW |