在特别注意元件布局、关键布线和环路布线的同时，内层 GND 铜平面布线也很重要。将整层 GND 覆铜平面置于开关环路下方即可为电路建立无源屏蔽。根据楞次定律，屏蔽层中的电流会产生一个磁场来抵消原有开关回路磁场。结果是磁通量减少，EMI 性能得以提高。将整层 GND 覆铜平面置于高频开关环路下方可提供卓越性能。

对于大功率集成升压或降压/升压转换器，热性能对于电路设计的成功至关重要。热性能决定了系统可靠性。TI 建议在 TPS55288 下方使用散热过孔，将 PGND 引脚和 VOUT 引脚分别连接到 PGND 平面和大 VOUT 区域。图 2-7 和图 2-8 显示了具有出色热性能的合理布局示例。两个整层 GND 放在第 2 层和第 4 层上。大 VOUT 区域放置在第 3 层上。

图 2-7 在 PGND 引脚上放置散热过孔

图 2-8 在 VOUT 引脚上放置散热过孔