图 2-2 介绍了功率 MOSFET、输入和输出陶瓷电容器、主电感器和 TPS55288 器件在顶层的放置方式。

图 2-2 功率级元件的放置

输入电容器靠近降压桥臂 MOSFET 放置。输出电容器靠近 TPS55288 的 VOUT 引脚和 PGND 引脚放置。可以通过妥善放置电源环路 1 和电源环路 2 打造一个较小的封闭区域。

主电感器 L1 位于降压桥臂 MOSFET 和 TPS55288 器件之间。SW 节点浇注有小铜平面，可减少与 SW 节点高 dv/dt 转换相关的电容耦合。大 SW 节点铜平面有助于散热，但会导致严重的辐射发射。