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ZHCAB92A October 2020 – July 2021 AM2431 , AM2432 , AM2434 , AM6411 , AM6412 , AM6421 , AM6441 , AM6442

高速 (HS) 旁路电容器对于 DDR 接口的正常运行至关重要。最大限度地减小连接到 VDDS_DDR 和相关接地接头的 HS 旁路电容器的寄生串联电感尤为重要。表 1-3 包含针对 HS 旁路电容器和 PCB 上的电源接头的规格。一般来说，TI 建议：

有关任何其他 SDRAM 要求，请参阅制造商的数据表。

表 1-3 高速旁路电容器

数量	参数	最小值	典型值	最大值	单位
1	HS 旁路电容器封装尺寸 ⁽¹⁾		0201	0402	10 Mils
2	HS 旁路电容器到被旁路的处理器的距离 ⁽²⁾⁽³⁾⁽⁴⁾			400	Mils
3	每个 VDDS_DDR 电源轨的处理器 HS 旁路电容器数量	请参阅 PDN 指南 ⁽⁹⁾			器件
4	每个 VDDS_DDR 电源轨的处理器 HS 旁路电容器总电容	请参阅 PDN 指南 ⁽⁹⁾			µF
5	每个器件电源/接地焊球的连接过孔数量	1			个过孔
6	从处理器电源/接地焊球到连接过孔的迹线长度 ⁽²⁾		35	70	mil
7	HS 旁路电容器到被旁路的 DDR 器件的距离⁽⁵⁾			150	Mils
8	DDR 器件 HS 旁路电容器数量⁽⁶⁾	12			器件
9	DDR 器件 HS 旁路电容器总电容⁽⁶⁾	0.85			µF
10	每个 HS 电容器的连接过孔数量 ⁽⁷⁾⁽⁸⁾	2			个过孔
11	从旁路电容器到连接过孔的迹线长度 ⁽²⁾⁽⁸⁾		35	100	Mils
12	每个 DDR 器件电源/接地焊球的连接过孔数量	1			个过孔
13	从 DDR 器件电源/接地焊球到连接过孔的迹线长度⁽²⁾⁽²⁾		35	60	Mils

(1) LxW，10 mil 单位，即 0402 是一种 40 x 20 mil 表面贴装电容器。

(2) 越近/越短越好。

(3) 从最近的处理器电源或接地焊球到电容器封装中心进行测量。

(4) 其中三个电容器应位于处理器下方的 VDDS_DDR 焊球簇中。

(5) 从 DDR 器件电源或接地焊球到电容器封装中心进行测量。请参阅 SDRAM 制造商提供的指南。

(6) 每个 DDR 器件。请参阅 SDRAM 制造商提供的指南。

(7) 仅当附加 HS 旁路电容器安装在电路板的另一侧时，它才能共享连接过孔。不允许在电路板的同一侧共享过孔。

(8) HS 旁路电容器可与安装在 PCB 同一侧的 DDR 器件共享一个过孔。应使用较宽的迹线进行连接，并且从电容器焊盘到 DDR 器件焊盘的长度应小于 150 mils。

(9) 本指南中的电容器建议仅反映该处理器的需求。有关如何为存储器器件自身确定合适的去耦电容器，请参阅存储器件供应商的指南。