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ZHCABI4 January 2022 TDA4VM , TDA4VM-Q1

3.4 在 HS-FS 器件中对密钥进行编程

在软件准备就绪后，必须满足以下硬件要求方可在 SoC OTP eFuse 中对密钥进行编程：

当不对 OTP 寄存器进行编程时，VPP_CORE 和 VPP_MCU 电源必须禁用。
VPP_CORE 和 VPP_MCU 电源的电压必须在正确的器件上电序列完成后上升，并且需要设置处于以下范围（如表 3-1 中所列）内的电压值。

表 3-1 建议的 OTP eFuse 编程操作条件

参数	说明	最小值	典型值	最大值	单位
VPP_CORE	正常工作期间 eFuse ROM 域的电源电压范围	不适用
VPP_CORE	OTP 编程期间 eFuse ROM 域的电源电压范围	1.71	1.8	1.89	V
VPP_MCU	正常工作期间 eFuse ROM 域的电源电压范围	不适用
VPP_MCU	OTP 编程期间 eFuse ROM 域的电源电压范围	1.71	1.8	1.89	V
Tj	温度	0	25	85	℃

有关开始刷写工作的步骤，请参阅图 3-3。

图 3-3 eFuses 编程流程

OTP Keywriter 可作为器件引导介质中的引导加载程序运行。一旦 Keywriter 应用开始进行密钥编程，便可以在 MCU 域 UART1 中找到如下所示的日志：

$ \0OTP Keywriter Revision: 01.00.00.00 (Mar 7 2021 - 20:15:01)
$ OTP Keywriter ver: 20.8.5-w2020.23-am64x-14-g7409e
$ Beginning key programming sequence
$ Taking OTP configuration from 0x41c7e000
$ Debug response: 0x0
$ Key programming is complete

完成前面的步骤后，应使用特定密钥将 HS-FS 器件转换为 HS-SE 器件；然而，如果客户想要在 HS-SE 器件中运行这些二进制，则需要使用相同的密钥对其进行签名和加密。