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ZHCABL1A December 2020 – January 2022 TAS2563

2.1 推荐的外部组件

组件	说明	技术规范	最小值	典型值	最大值	单位
C43、C44	VBAT 去耦电容器 — VBAT 引脚	类型	X7R
		电容，容差为 20%	10、0.1			μF
		额定电压	10			V
C47，C48	VBAT 去耦电容器 — 升压电感器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	10、0.1			μF
		额定电压	10			V
C61、C72	PVDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	10			μF
		额定电压	35			V
C49，C50	VDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	4.7			μF
		额定电压	6			V
C55	DREG 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	0.68	1	1.5	μF
		额定电压	6			V
C51、C52	IOVDD 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	1			μF
		额定电压	6			V
C60	GREG 去耦电容器	类型	X7R
		电容，容差为 20%	0.1			uF
		额定电压	10			V
如果需要用到 EMI 滤波器，请用这些电感器替换 R18 和 R19	EMI 滤波电感器（可选）。不建议使用，因为会使 THD+N 性能降低。该器件为无滤波 D 类器件，无需这些磁珠电感器。	100MHz 时的阻抗		120		Ω
		直流电阻			0.095	Ω
		直流电流	5			A
C53、C54	EMI 滤波电容器（可选，如果使用 C37、C49、C106、C115，则必须使用 EMI 电感器）	电容		1		nF