VBST 为内部升压转换器的输出端，是为功率级电源引脚 (PVDD) 供电的引脚。必须通过可靠连接将 PVDD 短接至 VBST 引脚。

对于 PVDD 到 VBST 的连接，必须注意以下因素：

• VBST 不能连接到外部负载。应使用去耦电容器将该引脚旁路至 GND。在 VBST 引脚和 BGND 引脚之间，去耦电容器两端的电感应尽可能低。有关详细信息，请参阅 LINK。

• 从器件引脚到去耦电容器的寄生电感不应超过 100pH。

• VBST 应通过加厚层连接到 PVDD（使用多个过孔，以降低寄生电感）。

• PVDD 应通过星形连接方式连接至 GREG 电容器。

• VBST 和 PVDD 迹线承载高电流，应支持高达器件过流限值的电流。

• 升压电容器降额与升压电感器之比应满足：L/C < 1/3 • 陶瓷电容器因所施加直流电压而产生的降额。通常情况下，在 10V 至 12V 范围内，10µF 电容器会损失标称值的 80%（例如，10µF 电容值变为 2µF）。通常情况下，TI 建议使用 20µF 电容器（或一对 10µF 电容器）作为去耦电容器。

图 1-7 PVDD 和 VBST 连接