VBAT 为电池电源的输入端，进行内部升压时会承载相当大的电流。VBAT 迹线可分为两条，一条为升压电感器供电（高电流），另一条从器件为 VBAT 引脚供电（低电流）。必须对 VBAT 电源的每个终端进行去耦，因此去耦电容器必须放置在升压电感器和 IC 的 VBAT 引脚附近。

必须使用容值至少为 0.1uF 和 10uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近升压电感器的 GND，且必须使用容值至少为 1uF 的电容器将 VBAT 旁路至靠近 IC 的 VBAT 引脚的 GND。

对于 VBAT，务必考虑以下建议：

• 包括额外大容量电容器，在高功率下降低总体 THD+N，最重要的是使用低 VBAT 电压电平。

• VBAT 采用宽迹线，以便应对总输出功率。

• 请勿在器件引脚、电感器端子和相关电容器之间使用过孔。

图 1-4 VBAT 连接