5 双路正负输出电压

为了在半桥应用中获得最佳的开关性能和针对 dV/dt 感应导通的稳健性，许多 SiC MOSFET 和 IGBT 都在关断期间受益于负 VEE 电压。当按如图 5-1 所示进行配置时，UCC14240-Q1 极大地简化了建立双路正负隔离式输出电压轨的任务。

图 5-1 双路正负隔离式输出

与图 4-1 的单路隔离式输出情况类似，总 VDD-VEE 仍设置为 +20V，由 R₂ 和 R₄ 分压器确定，中点连接到 FBVDD（引脚 34）。然而，反馈引脚 FBVDD（引脚 34）和 FBVEE（引脚 33）现在是分开的，并且引入了第二个电阻分压器 R₃ 和 R₅，其中点连接到 FBVEE（引脚 33）。R₃ 和 R₅ 在 2.5V<VEE<VDD-VEE 范围内的任意位置设置 VEE 调节点。VDD 和 VEE 之间的电容分压器在中点建立了一个显示为 COM 的虚拟基准。COM 是相对于 VEE 的正电压基准，也是 VEE 电阻分压器的连接点。电容分压器的选型将在Topic Link Label7部分详细介绍。FBVEE 电阻分压器通过选择 R₅ 来确定，然后可以根据Equation9计算 R₃。

参考图 5-1 的示例电路，经过调节的次级侧总电压为 VDD-VEE = +20V，COM 相对于 VEE 为 +5V。将 COM = +5V 和 VEE = 0V（次级侧参考点）代入Equation9 以简化为 R₃=R₅。为了获得最高的电压设定点精度，请考虑使用容差为 0.1% 的电阻器，其中较低的电阻器 R₅ 与 VEEA (U1-35) 处的 UCC14240-Q1 内部电压基准共享相同的参考点。对于双路隔离式输出配置，与单路输出配置相比，引入 C₁、C₅ 电容分压器重新定义了 VDD 参考点。双路输出配置中的 VDD 现在可通过 VDD = +20V-COM = +20V-(+5V) = +15V 和 VEE= 0V-COM= 0V-(+5V) = -5V 来计算。UCC14240-Q1，为使任何 SiC/IGBT 栅极驱动器 IC 相对于 COM 偏置而建立的双路正负电压轨现在定义为：VDD = +15V，VEE = -5V。

注意：探测硬件时，请勿将示波器电压探头接地线连接到 COM。由于 COM 是悬空的，并且示波器以接地为基准，故将探头接地连接到 COM 会导致 UCC14240-Q1 启动失败。在 UCC14240-Q1 次级上进行的所有示波器电压探头测量都应以 VEE 为基准。