4 浪涌测试结果

已对 TPS272C45C 进行了浪涌测试，以确保器件的稳健性。图 4-1 中展示的浪涌波形遵循 IEC61000-4-5 标准，电压为 1kV，阻抗为 42Ω。42Ω 阻抗代表所有其他线路与 GND 之间的阻抗，参见适用于 TI 保护器件的 TI IEC 61000-4-x 测试 应用报告。

图 4-1 阻性负载的浪涌波形

VS 和 VOUT 都进行了正负浪涌，两种浪涌测试设置如图 4-2 和图 4-3 所示。

首先，正浪涌施加在 24V VS 上，两个通道的 EN 为高电平，输出端连接一个 12Ω 负载。波形如图 4-4 所示。VS 在浪涌事件期间被 VS 对 GND TVS 二极管 D2 钳位，它将吸收大部分浪涌能量。浪涌后器件恢复正常运行。

图 4-4 VS 上施加正浪涌的波形

第二个测试涉及使用相同设置对 VS 施加负浪涌。生成的波形如图 4-5 所示。在本例中，VS 到 GND 二极管 D2 导通，并在负浪涌期间将 VS 保持在地电平。器件按预期运行，并在 VS 恢复后继续运行。

图 4-5 VS 上施加负浪涌的波形

现在转到图 4-3 所示的测试设置，在 VOUT 处施加浪涌，输入为 24V，EN 为高电平，12Ω 连接到负载。图 4-6 显示了施加正浪涌时产生的波形。在浪涌期间，体二极管将导通，从 VS 到 GND 的二极管将钳制 VS 电压。随着电流在去耦电感中持续流动，Vs 处的电压将在短时间内保持高电平，并缓慢恢复。

图 4-6 在 EN 为高电平时在 VOUT 施加正浪涌的波形

图 4-7 显示了对 VOUT 施加负浪涌时产生的波形。VS 到 GND TVS 二极管导通，将 VS 带到 GND 电平。浪涌脉冲结束后，电源和 FET 操作恢复正常运行。

图 4-7 在 EN 为高电平时在 VOUT 施加负浪涌的波形

当 EN 为低电平时，在 VOUT 处执行相同的浪涌测试。在 VOUT 出现正浪涌时，图 4-8 显示了从 VOUT 到 VS 的 TVS 二极管正在导通，然后 VS 电压被另一个 TVS 二极管钳位。浪涌事件后器件保持关闭状态。

图 4-8 在 EN 为低电平时在 VOUT 施加正浪涌的波形

当负浪涌施加在 VOUT 且 EN 为低电平时，图 4-9 显示了 VS 至 GND 二极管导通且 VS 至 VOUT 二极管钳位的行为。器件在浪涌脉冲后按预期保持关闭状态。

图 4-9 在 EN 为低电平时在 VOUT 施加负浪涌的波形