反相降压/升压拓扑与降压拓扑非常相似。在图 1-1 所示的降压配置中，正连接 (V_OUT) 连接到电感器，返回连接到集成电路 (IC) 接地。然而，在图 1-2 所示的反相降压/升压配置中，IC 接地用作负输出电压（标记为 -V_OUT）。降压配置中的正输出用作接地 (GND)。这种反相降压/升压拓扑允许输出电压反相并且始终低于接地电压。

图 1-1 TPS629210-Q1 降压拓扑

图 1-2 TPS629210-Q1 反相降压/升压拓扑

反相降压/升压拓扑中的电路运行不同于降压拓扑中的电路运行。图 1-3 (a) 说明了输出电压端子是反向的，尽管元件的接线方式与降压转换器相同。在控制 MOSFET 导通期间，如图 1-3 (b) 所示，电感器用电流充电，而输出电容器提供负载电流。在此期间，电感器不向负载提供电流。在控制 MOSFET 的关断时间和同步 MOSFET 的导通时间内，如图 1-3 (c) 所示，电感器为负载和输出电容提供电流。这些更改会影响后续部分中描述的许多参数。

图 1-3 反相降压/升压配置