3 总结

使用霍尔效应传感器来确定电子智能锁中门栓的位置主要有两种方法。开关式实现可降低每个器件的功耗，而 3D 霍尔传感器提供了有关门栓位置的额外信息。也可以根据需要通过选择不同的磁体或传感器来改变设计容差。

表 3-1 建议器件

器件	特性	设计注意事项
DRV5032	采用 SOT-23、X2SON 和 TO-92 封装的超低功耗数字开关霍尔效应传感器。提供全极和单极选项。	非常适用于低功耗应用。此器件可以使用低至 1.65V 的电压运行，典型电流消耗低于 1uA。采用 X2SON 封装的 DU 和 FD 型号具有双单极功能。
TMAG5233	平面霍尔效应开关（垂直传感器）采用业界通用的 SOT-23 封装。	具有全极磁响应，可对与封装标记表面平行的南北磁极做出响应。
TMAG5170	采用 SOT-23、X2SON 和 TO-92 封装的高精度线性 3D 霍尔效应位置传感器。提供全极和单极选项。	在所有 3 个轴上测量磁场强度，并通过 SPI 接口报告数据。此器件提供有利于系统监控的高精度和自诊断功能。
TMAG5273	具有 I2C 接口、采用 6 引脚 SOT-23 封装的低功耗线性 3D 霍尔效应位置传感器。	在所有 3 个轴上测量磁场强度，并通过 I2C 接口报告数据。此器件可以在低至 1.7V 的电压下运行。可配置的功耗模式选项支持优化系统性能和电流消耗。
TMAG3001	采用 YBG 封装、具有 I2C 接口和唤醒检测功能的低功耗 3D 线性和角度霍尔效应传感器。	在 x、y 和 z 轴上测量磁场，并通过 I2C 接口报告数据。非常适用于低功耗应用。此器件可以在低至 1.65V 的电压下运行。可配置的功耗模式选项支持优化系统性能和电流消耗。