ZHCABQ4B May   2022  – September 2023 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1 , TPS65219 , TPS65219-Q1 , TPS65220

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2TPS65219 概述
    1. 2.1 TPS65219 功能方框图
  6. 3TPS65219 型号
    1. 3.1 用于工业应用的 TPS65219 NVM
    2. 3.2 用于汽车应用的 TPS65219-Q1 NVM
  7. 4TPS6521905 用户可编程 NVM
  8. 5AM62x 内核电压选择
  9. 6VSYS 电压斜坡
  10. 7电源方框图
    1. 7.1 TPS6521901 为 AM62x 供电
    2. 7.2 TPS6521902 为 AM62x 供电
    3. 7.3 TPS6521903 为 AM62x 供电
    4. 7.4 TPS6521904 为 AM62x 供电
    5. 7.5 TPS6521907 为 AM62x 供电
    6. 7.6 TPS6521908 为 AM62x 供电
    7. 7.7 TPS6521920W-Q1 为 AM62x-Q1 供电
  11. 8参考文献
  12. 9修订历史记录

TPS6521901 为 AM62x 供电

VSYS = 5V | 存储器:DDR4 | VDD_CORE = 0.75V

图 7-1 展示了在具有 5V 输入电源和 DDR4 存储器的系统中,TPS6521901 型号为 AM62x 处理器供电的原理图。5V 来自前置稳压器,与参考系统主输入电源 (VSYS) 连接,并连接到降压转换器的电源输入 (PVIN_Bx)。Buck1、Buck2 和 Buck3 用于为 VDD_CORE 供电,分别为 0.75V、3.3V VDDSHVx IO 和 DDR IO。由于 Buck2(3.3V PMIC 电源轨)编程为在上电序列中首先斜升,可用作一些 LDO 的输入电源,从而最大限度地减少功耗。LDO1 配置为旁路,支持 SD 卡动态电压在 3.3V 和 1.8V 之间变化。通过将 VSEL_SD 引脚设为高电平 (LDO1=3.3V) 或低电平 (LDO1=1.8V) 可以触发 LDO1 上的此电压变化。LDO2 用于为 VDDR_CORE 供电。LDO3 支持 1.8V 模拟域,LDO4 支持 2.5V VPP,用于 DDR4 存储器。此电源解决方案需要外部分立式降压稳压器来提供 1.8V VDDSHV IO 域。此外部分立式稳压器可使用 PMIC 的 GPO1 启用。TPS6521901 经过预编程,可在上电序列的第二个阶段启用 GPO1。外部分立式稳压器必须具有有源放电功能,并在 PMIC 开始为下一个阶段中的电源轨上电之前斜升至稳定的输出电压。其余的两个通用引脚(GPIO 和 GPO2)是可自由使用的数字资源,默认情况下被禁用,但可在 PMIC 完成上电序列后(释放 nRSTOUT 后)通过 I2C 启用。

注: 请参阅 TPS6521901 技术参考手册,了解有关 NVM 设置和上电/断电序列图的说明。
GUID-20230123-SS0I-XNKX-9XW4-6SQJCQJCJZHH-low.svg图 7-1 TPS6521901 为 AM62 供电