8 漏电流

精密系统中的一项关键性能指标是漏电流。如果在开关关闭时在开关上施加大电压，则不需要的电流会流过 MOSFET。现代 MOSFET 设计已显著降低了这种泄漏，但对于某些应用，即使是几皮安也可能影响系统性能。

这种泄漏通常定义为 Ioff 或关断漏电流。对于机械继电器，这种泄漏基本上为零，因为除了通过绝缘体之外没有其他路径可供电流通过。在固态解决方案中，漏电流主要来自 MOSFET 的背栅。因为光继电器没有接地基准，所以电流唯一可以通过的路径是开关。在多路复用器中，相对于地有一定量的漏电流。与传统多路复用器相比，TI 的扁平 Ron 多路复用器显著降低了开关的泄漏。虽然没有光继电器那么低，但这些器件在集成后提供了引人注目的性能。

图 8-1 光继电器、传统多路复用器和 TI 的扁平 Ron 多路复用器的关断漏电流

关于漏电流，最后要注意的是温度依赖性。Ioff 随温度呈指数增长。对于光继电器和多路复用器来说，均会出现这种情况。因此，对于精密应用，系统温度需要保持在尽可能低的水平，最好低于 50°C。