ZHCABV9A January 2008 – November 2022 BQ27421-G1 , BQ27425-G2A , BQ27425-G2B , BQ27441-G1 , BQ27505-J2 , BQ27505-J3 , BQ27505-J4 , BQ27505-J5 , BQ27520-G4 , BQ27530-G1 , BQ27531-G1 , BQ27545-G1 , BQ27546-G1 , BQ27741-G1 , BQ40Z50 , BQ40Z50-R1 , BQ40Z50-R2
如前所述,DataRAM.Full Charge Capacity( ) 仅在放电期间的几个点更新,而 DataRAM.Remaining Capacity( ) 基于集成电荷连续(每 1 秒)更新。DataRAM.Remaining Capacity( ) = RM – Q_integrated,其中 Q_integrated 是自上次 RM 计算以来传递的电荷。DataRAM.Remaining Capacity( ) 的值还用于每秒更新相对 DataRAM.State Of Charge( ),因为 DataRAM.State Of Charge( )= DataRAM.Remaining Capacity( ) × 100/ DataRAM.Full Charge Capacity( )。
相同的值还用于计算清空运行时间,因为 DataRAM.Time To Empty( ) = DataRAM.Remaining Capacity( ) / DataRAM.Average Current( )。
请注意,即使 RM 仿真在恒定功率模式下运行 (DF.Load Mode = 1),也可以 mAh 或 10mWh 值完成 DataRAM.Remaining Capacity( ) 和 DataRAM.Time To Empty( ) 报告。这些值总是以 mAh 为单位报告,或从 mAh 值得出:
这些值始终以 mWh 为单位报告或源自 mWh 值:
在恒定功率模式 (DF.LoadMode = 1) 的情况下,清空运行时间计算为 DataRAM.TimeToEmpty( ) = DataRAM.AvailableEnergy( ) / DataRAM.AveragePower( ),并且通常对于大多数器件来说更准确,因为在低电压下会增加功耗。