4 低电流有源开路负载检测

DRV89xx-Q1 器件中使用的低电流有源 OLD 专为电机标称电流小于有源 OLD 的 I_OLD 的负载而设计。图 4-1 显示低电流有源 OLD 阈值 (I_{OLD_LOW}) 取代了有源 OLD 中的 I_OLD。在低电流有源 OLD 中，I_{OLD_LOW} 比有源 OLD 的电流 OLD 阈值低约 10 倍。如果 I_{OLD_LOW} 比 I_OLD 低 10 倍，则当利用需要较小标称电流来触发 OLD 事件的负载时，允许 OLD 具有更大的灵活性。如果低侧 FET 导通，并且在该低侧 FET 中流动的电流小于 I_{OLD_LOW} 的时间至少达到 OLD 抗尖峰时间 (t_OLD)，则发生了 OLD 事件。

图 4-1 低电流有源 OLD 运行

低电流有源 OLD 必须考虑进行以下权衡：

• 在 DRV89xx-Q1 器件中，此 OLD 仅适用于低侧 FET 中流动的电流，这意味着无法使用高侧 FET 检测到它。
• 如果使用低电流有源 OLD，则低侧 FET 的过流保护阈值也会降低 11 倍。
• 低侧 FET 的 R_DS(ON) 将增加 11 倍，因此必须监测热性能。然而，鉴于低侧 FET 两端的电流预期较低，预计低侧 FET 的热耗散将受到限制。