MCU 电源

MSPM0 支持在 1.62V 至 3.6V 电压范围内运行。为了降低功耗，用户可以为 MCU 提供不低于 1.62V 的电压。但是，需要注意一些外设工作限制，例如内部基准。当电源电压低于 2.7V 时，只能使用 1.4V 基准电压，不能使用 2.5V 基准电压。

电阻器

电阻广泛应用于电路中，起到限流或分压的作用。在考虑驱动强度和电压稳定时间后，请确保所选电阻值足够大。用作分压器时需要特别注意，因为可能存在恒定的漏电流。对于一些低成本应用，可以使用可控的 GPIO 作为电压源。

电容器

电路中使用的电容器的类型和尺寸比电阻更多。所有电容的漏电流损耗都较小。铝电解电容和钽电容可提供较大的电容和漏电流，漏电流的典型值为 uA 级，接近 MSPM0 的待机电流。而陶瓷电容和箔电容的容量和漏电流较小，漏电流的典型值为 nA 级。

通常，电容值较高的电容器往往具有较高的漏电流，额定电压较高的电容器具有较低的漏电流，而且相对于封装尺寸，电容也较小。此外，施加高电压和提高工作温度也会增加漏电流。请记得在硬件设计中参阅电容器数据表。

但是，在一些典型使用场合下仍然需要使用大电容。如果用户更关心峰值电流，可以使用大电容来降低峰值电流并将其分散到静态电流中。在这种情况下，用户需要协调峰值电流与静态电流。

电源 IC

开关稳压器可在重负载下实现高效率。然而，它的效率较低，并且通常在弱负载下功率噪声较高。对于线性稳压器，其效率取决于输入和输出电压设置，并且功率噪声和成本较低。对于某些电池应用，如果电池输入电压全部由 MCU 提供，移除电源 IC 可能是一个不错的选择。用户需要根据自己的应用进行选择。

晶体

通常，在低功耗模式下，使用外部低频 32kHz 晶体的功耗比使用内部晶体的功耗更低。使用外部晶体时，请记得参阅晶体数据表以了解合适的负载电容值和布局规则。电容使用不当会导致晶体频率偏移，甚至起振失败。

如使用外部高频晶体，由于使用不同的高频时钟来提供 MCLK（例如 HFCLK 或 PLL）时无法禁用 SYSOSC，因此功耗甚至比使用内部高频晶体高。这是因为当 MCLK 源自 HFCLK 或 PLL 时，由 SYSCTL 逻辑使用 SYSOSC。