ZHCABY1 December 2022 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507

1 概述

TI 的可扩展 MSPM0Lxx MCU 基于 Arm® Cortex®-M0+内核，最大 CPU 速度为 32MHz，可提供具有低功耗特性的基本通用功能。这些 MCU 具有高达 256KB 的片上闪存和高达 32KB 的片上 SRAM，并具有扩展的可扩展模拟集成。它们还集成了高效的电源架构和各种功耗模式，有助于降低功耗并简化应用设计。其总体低功耗性能如表 1-1 所示。有关更多详细信息，请参阅器件特定的数据表。

表 1-1 MSPM0Lxx 系列低功耗性能

低功耗模式	MSPM0Lxx
运行⁽¹⁾⁽⁵⁾	85µA/MHz
睡眠⁽²⁾⁽⁵⁾	4MHz 时为 200μA
停止⁽³⁾⁽⁵⁾	32kHz 时为 50μA
待机⁽⁴⁾⁽⁵⁾	1.1 µA
关断⁽⁵⁾	50nA，具有 IO 唤醒能力

(1) MCLK = SYSOSC = 32MHz，CoreMark，从闪存执行

(2) MCLK=SYSOSC，CPU 暂停

(3) SYSOSC 关闭，DISABLESTOP = 1，ULPCLK = LFCLK，SRAM 和闪存处于保持状态

(4) STOPCLKSTBY=1，TIMG0 启用

(5) 25°C 且 VDD = 3.3V 时的典型值。所有输入连接至 0V 或 VDD。输出不供应或吸收任何电流。所有外设均禁用。

本应用手册旨在构建一个简单的框架，以帮助开发人员了解 MSPM0Lxx 系列低功耗特性、如何优化功耗以满足基于 MSPM0 的特定需求以及如何评估和测量功耗。图 1-1 显示了低功耗设计的设计流程。

图 1-1 低功耗开发流程

表 1-2 列出了开发期间要检查的项目。

表 1-2 低功耗开发清单

数量	分类	条目	备注
1	硬件设计	MCU 电源	将 MCU 电源电压降至 1.62V 以下。
2		电阻器	在满足系统要求后选择大电阻器。
3		电容器	选择低泄漏电容器。
4		电源 IC	通常选择线性稳压器。
5	软件编码	条件代码执行	使用条件唤醒和代码执行结构。
6		非阻塞编程	使用 while 循环避免阻塞模式。
7		优化代码大小	选择 TI Arm Clang，完全使用编译器功能并编写具有良好编码风格的代码。
8	MSPM0 低功耗特性用法	使用低功耗模式	根据应用要求使用不同的功耗模式（RUN、SLEEP、STOP、STANDBY 和 SHUTDOWN）和三个低功耗模式策略选项（XX0、XX1、XX2）。
9		降低系统时钟和外设工作频率	仅使用所需的系统时钟频率。降低外设工作频率，并在不使用时将其关闭。
10		I/O 配置	将未使用的引脚保留为默认的高阻态配置。减少使用内部上拉或下拉电阻器。请注意低功耗模式下的 IO 锁存器。
11		使用事件管理器	使用事件管理器实现外设触发 DMA 或外设触发外设以减少 CPU 使用量。
12		使用模拟外设的低功耗特性	在 ADC、COMP、OPA 和 GPAMP 的性能和低功耗之间实现折衷。
13		从 RAM 运行代码	将部分常用代码从闪存移动到 RAM。