3 启动行为和开关节点注意事项

图 3-1 显示了反相配置中的启动行为。EN 变为高电平后，器件在大约 50µs 的延迟后开始开关。由于反相拓扑中的峰值电流较高，因此在启动期间经常会达到电流限制。只要适当选择电感器的饱和电流，这是可以接受的。

图 3-1 V_IN = 5V 和 120mA 负载的反相配置中的启动行为

图 3-1 还显示了器件启动时的 SW 节点电压。SW 引脚上的电压从 V_IN 切换到 V_OUT。当高侧 MOSFET 导通时，SW 节点会看到输入电压，而当低侧 MOSFET 导通时，SW 节点会看到 IC 接地，即输出电压。随着 V_OUT 继续斜降，SW 节点低电平随之下降。