需要一个输入电容 C_IN 为输入电压源提供本地旁路。低 ESR X5R 或 X7R 陶瓷电容器非常适合输入电压滤波，并更大限度减少对其他电路的干扰。对于大多数应用，建议在 V_IN 到地（系统接地，非 –V_OUT）之间使用 10μF 陶瓷电容器。为了实现更好的输入电压滤波，可以无任何限制地增加 C_IN 电容器值。

对于 TPS62125 的反相降压/升压配置，不建议在 V_IN 和 V_OUT 之间安装电容器。如果安装了这样的电容器，则可提供从 V_IN 到 V_OUT 的交流路径。当 V_IN 施加到电路时，从 V_IN 到 V_OUT 的电容上的这个 dV/dt 会产生一个必须返回到地的电流（输入电源回路），才能完成其循环。该电流可能流过内部低侧 MOSFET 的体二极管和电感器返回到地。流经体二极管会将 SW 引脚和 VOS 引脚拉到 IC 接地以下 0.3V 以上，违反了它们的绝对最大额定值。这种情况可能会损坏 TPS62125，因此不建议这样做。因此，不需要或不推荐使用从 V_IN 到 V_OUT 的电容器。如果存在这样的电容器 (CBP)，则应按照图 4-1 在输出端安装一个肖特基二极管。应进行启动测试，以确保在施加 V_IN 后，VOS 引脚的驱动电压不会低于 IC 接地 0.3V 以上。

图 4-1 如果安装 CBP，则需要安装肖特基 D1

通过 CBP 的交流路径也可能使线路瞬态响应恶化。如果预计出现强线路瞬变，则应增大输出电容，以在线路瞬变期间将输出电压保持在可接受的水平内。