ZHCAC14 January   2023 DP83TC812R-Q1 , DP83TC812S-Q1

 

  1.   摘要
  2. 1引言
    1. 1.1 首字母缩写词
  3. 2TC10 测试设置
    1. 2.1 概述
    2. 2.2 唤醒至链接序列
  4. 3测量摘要
    1. 3.1 完整时序图
    2. 3.2 测量摘要
    3. 3.3 LP1 唤醒至链接时间
  5. 4时序测量
    1. 4.1 LP1 WAKE 至 INH (T1)
    2. 4.2 LP1 INH 至 WUP (T2)
    3. 4.3 WUP 至 PHY INH (T3)
    4. 4.4 PHY INH/降压 EN 至降压 nRESET (T4)
    5. 4.5 降压 nRESET/PMIC 使能至 MCU nReset (T5)
    6. 4.6 MCU nReset 至 MDIO 通信(T6 和 T7)
    7. 4.7 MDIO 主器件配置 + 链接(T8 和 T9)
  6. 5测量评估
    1. 5.1 关于优化可变 TC10 时间的建议
      1. 5.1.1 缩短 MCU 启动时间 (T6)
      2. 5.1.2 改进 MDIO 状态机 (T7)
      3. 5.1.3 优化 MDIO 时间表 (T8)
        1. 5.1.3.1 通过去除轮询来优化主器件配置
        2. 5.1.3.2 通过改进 MDC 来优化主器件配置
      4. 5.1.4 睡眠期间的 PHY 配置
      5. 5.1.5 其他可配置的值
    2. 5.2 替代 TC10 测试
  7. 6结论
  8. 7参考文献

测量摘要

表 3-1 详细介绍了测量。

表 3-1 测量摘要
时间间隔时间标记

说明

测量
tlink – tLP1_WAKE

LP1 WAKE 变为高电平至链接

(系统唤醒至链接时间)

33.32ms + T*
T1tLP1_INH – tLP1_WAKELP1 WAKE 变为高电平至 LP1 INH 变为高电平

(LP1 唤醒序列已启动)

20.6μs
T2tWUP – tLP1_INH

LP1 INH 变为高电平至发送 WUP

10.53ms
T3tINH – tWUP

发送 WUP 至 LP2 INH 变为高电平

(LP2 唤醒序列已启动)

45.8μs
T4tnRESET – tINH

LP2 INH 变为高电平至降压 nRESET 变为高电平

(降压准备就绪)

6.00ms
T5tMCU_nRESET – tnRESET

降压 nRESET 变为高电平至 MCU nRESET 变为高电平

(PMIC 准备就绪)

2.184ms
T6*tMDIO – tMCU_nRESET

MCU nReset 变为高电平至 MDIO 通信开始

(MCU 启动)

*
T7*tms_cfg_start – tMDIOMDIO 通信开始至主器件配置开始*
T8*tms_cfg_end – tms_cfg_start主器件配置时间3.914ms*
T9tlink – tms_cfg_end主器件配置结束至链接14.541ms