反相降压/升压拓扑与降压拓扑非常相似。在标准降压配置（如图 1-1 所示）中，正连接 (V_OUT) 连接到电感器，返回连接到器件接地。

图 1-1 降压拓扑

然而，在图 1-2 所示的反相降压/升压配置中，该器件接地用作负输出电压引脚（标记为 V_OUT）。降压配置中的正输出现在用作接地 (GND)。拓扑中的这种变化允许输出电压反相并且始终低于接地电压。

图 1-2 反相降压/升压拓扑

反相降压/升压拓扑中的电路运行方式与降压拓扑中的电路运行方式不同。尽管元件的连接方式与降压转换器中相同，但输出电压端子是反向的，如图 1-3(a) 所示。在控制 MOSFET 导通 期间，如图 1-3(b) 所示，电感器用电流充电，而输出电容器提供负载电流。在此期间，电感器不向负载提供电流。在控制 MOSFET 的关断 时间和同步 MOSFET 的导通 时间内，如图 1-3(c) 所示，电感器为负载和输出电容器提供电流。这些更改会影响许多参数，如设计注意事项 部分所述。

图 1-3 降压/升压配置