某些电机驱动应用需要在制动时回收能源。如果电池已充满电，且充电和放电 MOSFET 均已关断，则 PACK 侧可能具有高电压，如果引脚电压高于 85V，则会损坏 BQ769x2。阻止高电压的一种简单方法是在放电 MOSFET 和 TOP_DSG 之间添加串联二极管 D29，但该二极管还会阻止灌电流关闭放电 MOSFET。电阻器 R166 与 D29 并联，可提供电流路径，在关断放电 MOSFET 时导通 Q49。D20 和 R155 在顶部 BQ769x2 的上限范围内保护 TOP_LD 电压。D20 还有助于限制 TOP_DSG 电压，因为在关闭放电 MOSFET 时，DSG 引脚始终会驱动至 LD 引脚。对于顶部 BQ769x2 和底部 BQ769x2 的其他高压引脚，齐纳二极管和电阻器始终有助于将电压限制在绝对最大值之内。但是，如果将这些高压引脚用于电压测量，通常需要进一步校准，确保保护性齐纳二极管和电阻器具有良好的精度。