8 AEF 的实际实现

图 8-1 展示了在单相和三相电源系统中使用 TPSF12C1、TPSF12C1-Q1、TPSF12C3 和 TPSF12C3-Q1 独立 AEF IC 系列通过 FB-VSCI 配置实现 CM 衰减的实际 AEF 实现方案 [8-11]。这些设置类似于图 3-1 中的两级无源滤波器，只是 AEF IC 现在位于 CM 扼流圈之间，为 CM 电流提供阻抗更低的分流路径。

图 8-1 用于 CM 衰减的单相 (a) 和三相 (b) AEF 实现示例

该器件系列的检测引脚使用一组 Y 型检测电容器（通常为 680pF）与电源线路连接，并馈入高通滤波器和信号组合器，如图 8-2 的 IC 方框图所示。该 IC 可抑制线路频率（50Hz 或 60Hz）交流电压以及 DM 干扰，同时使用外部可调阻尼电路来放大高频 CM 干扰并保持闭环稳定性。

图 8-2 TPSF12C3-Q1 三相独立 AEF IC 的内部方框图

COMP1 和 COMP2 引脚之间的元件构建一个用于设置放大增益特性的超前延迟网络。功率放大器在 INJ 处的输出通过阻尼和稳定性网络（请参阅图 8-1 中带有下标“D”参考标识符的元件）和 Y 型注入电容器 C_INJ（通常为 4.7nF）将所需的降噪信号注入回电源线路中。该 IC 包含集成滤波、补偿和保护电路。VDD 辅助电源的电压范围为 8V 至 16V，标称电压为 12V，并参考系统机箱接地。

从 CM 的角度来看，放置于两个 CM 扼流圈之间的 X 电容器可以有效地在电源线路之间提供低阻抗路径，通常可达到低兆赫兹频率。该路径仅使用一个注入电容器便可将电流注入到一条电源线路（通常为零线）。如果三相滤波器是没有零线的三线系统，则会将 TPSF12C3-Q1 的 SENSE4 引脚接地，并将注入电容器通过 X 电容器的人工星型连接进行耦合。