图 9-1 所示为单相 AEF 电路的原理图，其中采用 TPSF12C1-Q1 有源滤波器 IC 实现 CM 噪声衰减。该设计包括稳压器侧和电网侧 Y 电容器。LISN 为 EMI 接收器提供了合适的接口来进行 150kHz 至 30MHz 的 EMI 测量。

图 9-1 低压测试设置原理图

如图 9-1 所示，从函数发生器产生的方波信号相当于便捷的 CM 噪声激励源，而 1nF 电容器模拟开关稳压器的实际 CM 噪声源阻抗。通过调整源电压的幅度和转换时间可设置在 LISN 上测得的合理噪声幅度和频谱包络。

这种支持信号注入的简单低压测试有助于在高压工作环境下连接到开关稳压器之前，安全且方便地对 EMI 测试室内的滤波器进行性能鉴定。

图 9-2 所示为滤波器板的实现方案。图 9-6 展示了使用准峰值 (QP) 和平均 (AV) 噪声检测器并禁用和启用 AEF 时的 EMI 结果。从图 9-6 中可以明显看出，AEF 在低频率范围（100kHz 至 3MHz）内提供高达 30dB 的 CM 噪声衰减，因此，使用两个 2mH 纳米晶扼流圈的滤波器可实现与使用两个 12mH 扼流圈的无源滤波器设计相当的 CM 衰减性能。

图 9-2 使用 AEF 实现单相滤波器

图 9-3 禁用和启用 AEF 时的 EN 55032 B 类 EMI 结果