晶体往往与温度具有很高的相关性，随着温度的升高，频率会发生显著变化。如果不添加一些温度补偿电路，则不可能支持扩展工业级（115°C LVCMOS/105°C 差分）的 25ppm 器件。LMK6C/D/P/H BAW 振荡器在整个温度范围内可满足 ±10ppm 的预算。

图 5-1 BAW 振荡器频率在温度范围内的稳定性