2 BAW 技术概述

TI BAW 谐振器技术可利用压电式转换在 2.5GHz 频率下产生高 Q 值谐振。谐振器是一个由顶部和底部电极覆盖的四边形区域。交替的高、低噪声阻抗层会在谐振体下方形成声镜，防止声能泄漏到基板中。此外，这些声镜还放置在谐振器堆叠的顶部，保护器件免受污染，并更大限度地减少泄漏到封装材料中的能量。这款独特的双布拉格声波谐振器 (DBAR) 可实现高效激励，无需在其周围制造成本高昂的真空腔。因此，TI BAW 谐振器不受由表面吸附污染物导致的频率变化的影响，可以直接放置在非密封塑料封装中，而振荡器电路则采用标准振荡器尺寸（3.2mm × 2.5mm 和 2.5mm × 2.0mm）。