6 总结

在设计高压转低压冗余反激式电源时，需要仔细考虑所选的汽车级高压器件，从而更大限度地减少待机功耗和噪声耦合，并确保系统满足安全要求。对于高压功率器件选择，400V 系统通常可以使用硅 MOSFET。但是，800V 系统通常使用碳化硅 MOSFET，因为它们具有较高的额定电压（通常为 900V 或更高）。为了更大限度降低待机功耗，可以使用外部或内部启动电路。高电流检测电压额定值提供了额外的稳健性，可防止在嘈杂环境中发生 CS 引脚误触发。初级侧稳压反馈不需要光耦合器，这提高了系统可靠性并且无需跨越隔离栅的元件。

评估模块 UCC28C56EVM-066 展示了一个 40V 至 1kV 输入高压转低压冗余电源解决方案。UCC28781EVM-053 50V 至 500V V_in 反激式参考设计也展示了一种可能适用于此应用的解决方案。表 7-1 介绍了不同 TI 汽车反激式解决方案之间的差异。